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FF1200R17KE3_B2 INFINEON Modulo di alimentazione ridondante 115-230 VAC 12 VDC a 150 MA

Name: FF1200R17KE3_B2 INFINEON Modulo di alimentazione ridondante 115-230 VAC 12 VDC a 150 MA
Brand: Shenzhen Wisdomlong Technology CO.,LTD
SKU: FF1200R17KE3_B2
Price: 10000.00 USD
Availability: InStock

Dettagli del prodotto:

Luogo di origine:	GIAPPONE
Marca:	INFINEON
Certificazione:	CE
Numero di modello:	FF1200R17KE3_B2

Informazione dettagliata

Luogo di origine:

GIAPPONE

Marca:

INFINEON

Certificazione:

Numero di modello:

FF1200R17KE3_B2

Canali di ingresso:

Potenza nominale di LocalBus:

12 VCC a 150 mA

Lunghezza del cavo:

0.3 m

Valutazione attuale:

8 AMP

Dimensioni:

150 mm x 100 mm x 40 mm

Tensione di uscita:

12 V CC

Tensione operativa:

220（V）

Voltaggio:

115-230 VCA

Informazioni di trading

Quantità di ordine minimo:

Prezzo:

Negoziabile

Imballaggi particolari:

Nuovo e originale

Tempi di consegna:

5-7 giorni

Termini di pagamento:

T/T, L/C

Capacità di alimentazione:

100

Descrizione di prodotto

FF1200R17KE3_B2 INFINEON Modulo di alimentazione ridondante 115-230 VAC 12 VDC A 150 MA

FF1200R17KE3_B2 Descrizione

Il FF1200R17KE3_B2 è un modulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ad alta potenza e alta efficienza di Infineon Technologies, progettato per applicazioni industriali di conversione di potenza.Parte della serie IGBT avanzata di Infineon, questo modulo integra più IGBT e diodi a rotazione libera in un unico pacchetto compatto, consentendo prestazioni robuste in ambienti ad alta corrente e alta tensione.basse perdite, e eccellenti caratteristiche termiche, che lo rendono ideale per motori pesanti, inverter a energia rinnovabile e alimentatori industriali.

FF1200R17KE3_B2 Caratteristiche

Densità di potenza elevata: configurazione IGBT doppia con diodi anti-paralleli in un modulo compatto, supportando correnti e tensioni elevate per progetti con spazio limitato.
Tecnologia a bassa perdita: utilizza una tecnologia avanzata di chip IGBT e diodo per ridurre al minimo le perdite di conduzione e di commutazione, migliorando l'efficienza complessiva del sistema.
Alta affidabilità: il design robusto del substrato ceramico garantisce un eccellente isolamento, capacità di ciclo termico e stabilità operativa a lungo termine.
Facile montaggio: la piastra base isolata (variante B2) consente un semplice montaggio su un dissipatore termico comune senza ulteriore isolamento, semplificando la gestione termica.
Progettazione a bassa induttanza: il layout interno ottimizzato riduce al minimo l'induttanza parassitaria, migliorando le prestazioni di commutazione e riducendo l'eccesso di tensione.
Monitoraggio della temperatura: il termistore integrato NTC (Negative Temperature Coefficient) fornisce sensori di temperatura in tempo reale per la protezione termica e il monitoraggio del sistema.

FF1200R17KE3_B2 Materiali e applicazioni

Materiale: il modulo è dotato di un chipset IGBT in silicio ad alte prestazioni e di diodi, di un substrato in ceramica di nitruro di alluminio (AlN) o di Al2O3 per l'isolamento elettrico,con una base in rame per una dissipazione efficiente del caloreL'alloggiamento è realizzato in plastica PPS (polifenilene solfuro), che offre resistenza alle alte temperature e resistenza meccanica.
Applicazioni primarie:
- Motori di alta potenza e servo motori per macchine industriali.
- Sistemi di inverter di energia solare ed eolica.
- Forniture di alimentazione ininterrotta (UPS) e apparecchiature di saldatura.
- Sistemi di trazione e di propulsione ferroviaria.

FF1200R17KE3_B2 Parametri chiave

Parametro	Specificità
Modello	FF1200R17KE3_B2
Produttore	Infineon Technologies
Tipo di modulo	Modulo IGBT doppio (2 in 1)
Corrente nominale del collettore (Ic @ 25°C)	1200 A
Tensione massima tra collettore ed emittente (Vces)	1700 V
Voltaggio di saturazione massimo del collettore-emettitore (Vce(sat))	2.5 V (tipico)
Dissipazione totale massima di potenza (Pt)	6000 W
Voltaggio di isolamento (Visol)	4 000 Vrms / 5600 Vdc
Intervallo di temperatura di giunzione (Tvj)	-40°C a +175°C
Peso del modulo	Circa 400 g.
Tipo di terminale	Termini a vite
Diodo integrato	Sì (diodo antiparallelo a recupero rapido)
Sensore termico.	Termistore NTC integrato
In montaggio.	Piastra di base isolata (variante B2)
Materiale di alloggio	PPS Plastico
Torsione raccomandata (terminals)	2.5 Nm
Rispetto delle norme	Compatibile con RoHS, certificato UL

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Tag:

FF1200R17KE3_B2 INFINEON Modulo di alimentazione ridondante 115-230 VAC 12 VDC a 150 MA

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